800V碳化硅平臺的技術(shù)原理是基于提升功率的需求，利用碳化硅材料特性實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。功率與電壓、電流相關(guān)，提升電流會致發(fā)熱劇增，提高電壓更為直接。碳化硅硬度高、導(dǎo)熱佳，適合高壓環(huán)境。800V平臺中用的碳化硅基MOSFET比400V平臺的硅基IGBT，系統(tǒng)效率更高、尺寸重量更小。該平臺從充電到電驅(qū)等多方面實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，帶來更優(yōu)性能 。

在充電環(huán)節(jié)，800V碳化硅充電技術(shù)的核心在于將低壓交流電在車內(nèi)轉(zhuǎn)換為高壓直流電給電池充電。當(dāng)充電槍頭連接車輛端，充電樁提供低壓輔助直流電源激活車輛BMS后，車輛和充電樁會交換充電參數(shù)。隨后根據(jù)車輛需求和充電樁能力，800V快充系統(tǒng)一般在750 - 900V運(yùn)行，常見充電功率350kW 或更高。先是恒流充電階段，快速填充大部分電量，之后電量達(dá)到一定程度切換到恒壓模式，抑制電芯極化效應(yīng)，最后電池充滿或達(dá)到預(yù)設(shè)充電量時停止充電并斷開連接，這一過程由BMS精確控制。

電驅(qū)系統(tǒng)方面，碳化硅技術(shù)的應(yīng)用有著重要意義。在電機(jī)運(yùn)行時，逆變器將直流電壓轉(zhuǎn)換為脈沖電壓，產(chǎn)生諧波交流電流。SiC - MOSFET的應(yīng)用滿足了高電壓平臺需求，能降低電機(jī)諧波損耗。因?yàn)镾iC功率器件比硅更高效，可實(shí)現(xiàn)更高開關(guān)頻率，提高電機(jī)效率。其材料特性、模塊設(shè)計及控制技術(shù)相結(jié)合，組成高效牽引系統(tǒng)，在WLTP循環(huán)中，驅(qū)動系統(tǒng)效率可提高4 - 8%。

此外，800V碳化硅平臺還有升壓技術(shù)、分壓技術(shù)等多種方式來保障其高效運(yùn)行。車端升壓、電機(jī)升壓等手段各有優(yōu)勢，關(guān)鍵組件如碳化硅器件、液冷系統(tǒng)等協(xié)同工作。

800V碳化硅平臺憑借獨(dú)特的技術(shù)原理，在充電與電驅(qū)等多領(lǐng)域發(fā)力，提升了系統(tǒng)效率，降低了損耗，為汽車行業(yè)的電氣化發(fā)展帶來了新的動力與可能，推動著汽車性能不斷邁向新高度。